IRF3546MTRPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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IRF3546MTRPBF - 

MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN

Infineon Technologies IRF3546MTRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF3546MTRPBF
仓库库存编号：
IRF3546MTRPBFCT-ND
描述：
MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
Mosfet Array 4 N-Channel 25V 16A (Tc), 20A (Tc) Surface Mount 41-PQFN (6x8)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IRF3546MTRPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  41-PowerVFQFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  41-PQFN（6x8）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  15nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3.9 毫欧 @ 27A，10V  
  FET 类型  4 个 N 通道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  16A（Tc），20A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1310pF @ 13V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.1V @ 35μA  
  漏源电压（Vdss）  25V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 IRF3546
标准包装 1
其它名称 IRF3546MTRPBFCT

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