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IRF5210PBF
IRF5210PBF -
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRF5210PBF
仓库库存编号:
IRF5210PBF-ND
描述:
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 P 沟道 40A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRF5210PBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
180nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
60 毫欧 @ 24A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2700pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
200W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
IRF5210PbF
设计资源
IRF5210PBF Saber Model
IRF5210PBF Spice Model
标准包装
50
其它名称
*IRF5210PBF
SP001559642
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
274-2AB
仓库库存编号:
345-1087-ND
别名:2742AB
345-1087
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540NPBF
仓库库存编号:
IRF540NPBF-ND
别名:*IRF540NPBF
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64-0092PBF-ND
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详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540PBF
仓库库存编号:
IRF540PBF-ND
别名:*IRF540PBF
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 23A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
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仓库库存编号:
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别名:*IRF9540NPBF
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型号:
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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