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产品规格

封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	HEXFET?
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	6-TSOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	5.4nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	135 毫欧 @ 2.2A，4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.2A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	320pF @ 15V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	960mW
关键词

产品资料

数据列表	IRF5850
标准包装	3,000
其它名称	SP001564468

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  Infineon Technologies 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 HEXFET?  Infineon Technologies 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 6-TSOP  Infineon Technologies 供应商器件封装 6-TSOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-TSOP  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-TSOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.4nC @ 4.5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.4nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.4nC @ 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.4nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 135 毫欧 @ 2.2A，4.5V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 135 毫欧 @ 2.2A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 135 毫欧 @ 2.2A，4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 135 毫欧 @ 2.2A，4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Infineon Technologies FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 320pF @ 15V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 320pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 320pF @ 15V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 320pF @ 15V   FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 960mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 960mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 960mW  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 960mW