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产品规格

封装/外壳	DirectFET? 等容 MT
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	HEXFET?
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	DIRECTFET? MT
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	65nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	2.2 毫欧 @ 30A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	30A（Ta），170A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5640pF @ 15V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 250μA
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta），89W（Tc）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	IRF6618/TR1
设计资源	IRF6618 Saber Model IRF6618 Spice Model
标准包装	1
其它名称	*IRF6618 IRF6618CT

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