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IRF7101TRPBF
IRF7101TRPBF -
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRF7101TRPBF
仓库库存编号:
IRF7101PBFCT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRF7101TRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
15nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 1.8A,10V
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.5A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
320pF @ 15V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
2W
关键词
产品资料
数据列表
IRF7101PbF
标准包装
1
其它名称
*IRF7101TRPBF
IRF7101PBFCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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5111164894
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5111195199
51111951996
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