IRF7105TRPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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IRF7105TRPBF
IRF7105TRPBF -
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRF7105TRPBF
仓库库存编号:
IRF7105PBFCT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRF7105TRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
27nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 1A,10V
FET 类型
N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.5A,2.3A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
330pF @ 15V
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
漏源电压(Vdss)
25V
功率 - 最大值
2W
关键词
产品资料
数据列表
IRF7105PbF
标准包装
1
其它名称
*IRF7105TRPBF
IRF7105PBFCT
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
SENSOR MAGMTR WHEAT BRDG 8SIP
详细描述:Magnetoresistive Sensor Single Axis 8- Pin SIP
型号:
HMC1001-RC
仓库库存编号:
342-1001-5-ND
别名:342-1001-5
342-1089
342-1089-ND
HMC1001
HMC1001-RC-ND
HMC1001RC
无铅
搜索
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
SENSOR MAGMTR WHEAT BRDG 8SOIC
详细描述:Magnetoresistive Sensor Single Axis 8-SOIC
型号:
HMC1021S-TR
仓库库存编号:
342-1003-1-ND
别名:342-1003-1
342-1003-5
342-1003-5-ND
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
MMBT2907ALT1G
仓库库存编号:
MMBT2907ALT1GOSCT-ND
别名:MMBT2907ALT1GOSCT
无铅
搜索
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
SENSOR MAGMTR WHEAT BRDG 20SOIC
详细描述:Magnetoresistive Sensor X, Y Axis 20-SOIC
型号:
HMC1002-TR
仓库库存编号:
342-1070-1-ND
别名:342-1070
342-1070-1
342-1070-ND
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC LVL XLTR LV 8MBPS SOT23-8
详细描述:Voltage Level Translator Unidirectional Circuit 2 Channel 16Mbps SOT-23-8
型号:
MAX3375EEKA+T
仓库库存编号:
MAX3375EEKA+TCT-ND
别名:MAX3375EEKA+TCT
无铅
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制造商 Infineon Technologies
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A,2.3A
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FET 功能 标准
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
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漏源电压(Vdss) 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 25V
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