IRF7301TRPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
>
IRF7301TRPBF
IRF7301TRPBF -
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRF7301TRPBF
仓库库存编号:
IRF7301PBFCT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.2A 2W Surface Mount 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRF7301TRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
20nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
50 毫欧 @ 2.6A,4.5V
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.2A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
660pF @ 15V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
2W
关键词
产品资料
数据列表
IRF7301PbF
标准包装
1
其它名称
*IRF7301TRPBF
IRF7301PBFCT
IRF7301TRPBF相关搜索
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Infineon Technologies 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 HEXFET?
Infineon Technologies 系列 HEXFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?
包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 8-SO
Infineon Technologies 供应商器件封装 8-SO
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2.6A,4.5V
Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2.6A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2.6A,4.5V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2.6A,4.5V
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
Infineon Technologies FET 类型 2 个 N 沟道(双)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.2A
Infineon Technologies 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.2A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.2A
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.2A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V
Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V
FET 功能 逻辑电平门
Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
漏源电压(Vdss) 20V
Infineon Technologies 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
功率 - 最大值 2W
Infineon Technologies 功率 - 最大值 2W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号