IRF7503TR,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IRF7503TR - 

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IRF7503TR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF7503TR
仓库库存编号：
IRF7503CT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IRF7503TR产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  HEXFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  Micro8?  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  12nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  135 毫欧 @ 1.7A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  2.4A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  210pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  1.25W  
关键词         

产品资料
数据列表 IRF7503
标准包装 1
其它名称 *IRF7503TR
IRF7503
IRF7503CT

IRF7503TRROHS替代

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IRF7503TR相关搜索

封装/外壳 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）  Infineon Technologies 封装/外壳 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 HEXFET?  Infineon Technologies 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 Micro8?  Infineon Technologies 供应商器件封装 Micro8?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 Micro8?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 Micro8?   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 135 毫欧 @ 1.7A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 135 毫欧 @ 1.7A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 135 毫欧 @ 1.7A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 135 毫欧 @ 1.7A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 210pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 210pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 210pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 210pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 1.25W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 1.25W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.25W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.25W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号