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产品规格

封装/外壳	8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	HEXFET?
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	8-TSSOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	9nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	30 毫欧 @ 4.6A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.6A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	861pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	1W
关键词

产品资料

数据列表	IRF7752
标准包装	100

封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）  Infineon Technologies 封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 HEXFET?  Infineon Technologies 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-TSSOP  Infineon Technologies 供应商器件封装 8-TSSOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-TSSOP  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-TSSOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 4.6A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 4.6A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 4.6A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 4.6A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.6A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.6A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.6A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.6A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 861pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 861pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 861pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 861pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 1W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 1W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W