IRF7757TR,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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IRF7757TR - 

MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IRF7757TR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRF7757TR
仓库库存编号:
IRF7757TR-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF7757TR产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HEXFET?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-TSSOP  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  23nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  35 毫欧 @ 4.8A,4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4.8A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1340pF @ 15V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.2V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  1.2W  
关键词         

产品资料
标准包装 4,000

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