IRF7805ZTRPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IRF7805ZTRPBF
IRF7805ZTRPBF -
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRF7805ZTRPBF
仓库库存编号:
IRF7805ZPBFCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRF7805ZTRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
27nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
6.8 毫欧 @ 16A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2080pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.25V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
IRF7805ZPbF
标准包装
1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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型号:
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仓库库存编号:
455-1819-ND
别名:455-1819
B04BPASKLFSN
无铅
搜索
Infineon Technologies
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详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7503TRPBF
仓库库存编号:
IRF7503TRPBFCT-ND
别名:IRF7503TRPBFCT
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:2N7002ET1GOSCT
无铅
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FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN
型号:
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仓库库存编号:
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别名:490-5440-1
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型号:
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别名:490-10659-1
无铅
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制造商 Infineon Technologies
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
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漏源电压(Vdss) 30V
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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