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IRF7807ATR - 

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IRF7807ATR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF7807ATR
仓库库存编号：
IRF7807ATR-ND
描述：
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRF7807ATR
库存编号:IRF7807ATR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO0
4000起订		4000+
8000+
￥5.32
￥4.99
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IRF7807ATRPBF
库存编号:IRF7807ATRPBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO0
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IRF7807ATR产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  HEXFET?  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SO  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  17nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  25 毫欧 @ 7A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  8.3A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  -  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  2.5W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRF7807/A
标准包装 4,000

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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IRF7807ATRPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT 30V 6.6A 25mOhm 12nC

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRF7807ATRPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 17 Milliohms, ID 8.3A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-12V

RoHS: Compliant

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Infineon Technologies - IRF7807ATR - MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

型号：IRF7807ATR
仓库库存编号：IRF7807ATR-ND

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Infineon Technologies - IRF7807ATRPBF - MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

型号：IRF7807ATRPBF
仓库库存编号：IRF7807ATRPBFCT-ND
别名：IRF7807ATRPBFCT <br>

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