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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	FETKY??
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-SO
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	14nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	25 毫欧 @ 7A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	8.3A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	肖特基二极管（隔离式）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250μA
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	IRF7807VD1
设计资源	IRF7807VD1 Saber Model IRF7807VD1 Spice Model
标准包装	4,000

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Infineon Technologies 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 FETKY??  Infineon Technologies 系列 FETKY??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 FETKY??  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 FETKY??   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 8-SO  Infineon Technologies 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SO  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SO   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 7A，4.5V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 7A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 7A，4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 7A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.3A（Ta）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.3A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.3A（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.3A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  Infineon Technologies FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管（隔离式）   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA   功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）   漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V