IRF8915TR,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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IRF8915TR - 

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IRF8915TR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF8915TR
仓库库存编号：
IRF8915TR-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IRF8915TR产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  HEXFET?  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  7.4nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  18.3 毫欧 @ 8.9A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  8.9A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  540pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  20V  
  功率 - 最大值  2W  
关键词         

产品资料
数据列表 IRF8915
设计资源 IRF8915 Saber Model
IRF8915 Spice Model
标准包装 4,000

IRF8915TRROHS替代

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