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IRFB4620PBF
IRFB4620PBF -
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFB4620PBF
仓库库存编号:
IRFB4620PBF-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 25A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFB4620PBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
38nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
72.5 毫欧 @ 15A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1710pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
功率耗散(最大值)
144W(Tc)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
数据列表
IRFB4620PBF
设计资源
IRFB4620PBF Saber Model
IRFB4620PBF Spice Model
标准包装
50
其它名称
SP001563998
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640NPBF
仓库库存编号:
IRF640NPBF-ND
别名:*IRF640NPBF
SP001570078
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4615PBF
仓库库存编号:
IRFB4615PBF-ND
别名:SP001565882
无铅
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
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