IRFH4251DTRPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IRFH4251DTRPBF - 

MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN

  • 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
Infineon Technologies IRFH4251DTRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFH4251DTRPBF
仓库库存编号：
IRFH4251DTRPBFCT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 25V 64A, 188A 31W, 63W Surface Mount PQFN (5x6)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IRFH4251DTRPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  FASTIRFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PQFN（5x6）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  15nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3.2 毫欧 @ 30A，10V  
  FET 类型  2 个 N 通道（双），肖特基  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  64A，188A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1314pF @ 13V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.1V @ 35μA  
  漏源电压（Vdss）  25V  
  功率 - 最大值  31W，63W  
关键词         

产品资料
数据列表 IRFH4251DPbF
RoHS指令信息 PQFN 5x6 RoHS Compliance
标准包装 1
其它名称 IRFH4251DTRPBFCT

IRFH4251DTRPBF您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IRFH4251DTRPBF相关搜索

封装/外壳 8-PowerVDFN  Infineon Technologies 封装/外壳 8-PowerVDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 FASTIRFET?  Infineon Technologies 系列 FASTIRFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 FASTIRFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 FASTIRFET?   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 PQFN（5x6）  Infineon Technologies 供应商器件封装 PQFN（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PQFN（5x6）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PQFN（5x6）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 30A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 30A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 30A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 30A，10V   FET 类型 2 个 N 通道（双），肖特基  Infineon Technologies FET 类型 2 个 N 通道（双），肖特基  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 通道（双），肖特基  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 通道（双），肖特基   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A，188A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A，188A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A，188A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A，188A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1314pF @ 13V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1314pF @ 13V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1314pF @ 13V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1314pF @ 13V   FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 35μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 35μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 35μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 35μA   漏源电压（Vdss） 25V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 25V   功率 - 最大值 31W，63W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 31W，63W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 31W，63W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 31W，63W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号