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IRFH4255DTRPBF - 

MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IRFH4255DTRPBF
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制造商产品编号:
IRFH4255DTRPBF
仓库库存编号:
IRFH4255DTRPBFCT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 105A 31W, 38W Surface Mount PQFN (5x6)
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IRFH4255DTRPBF Infineon Technologies AG MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN0
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IRFH4255DTRPBF Infineon Technologies AG Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 105A 8-Pin PQFN T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 45X9505)0
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IRFH4255DTRPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R0
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IRFH4255DTRPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HEXFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PQFN(5x6)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  15nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3.2 毫欧 @ 30A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  64A,105A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1314pF @ 13V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.1V @ 35μA  
  漏源电压(Vdss)  25V  
  功率 - 最大值  31W,38W  
关键词         

产品资料
数据列表 IRFH4255DPbF
RoHS指令信息 PQFN 5x6 RoHS Compliance
标准包装 1
其它名称 IRFH4255DTRPBFCT

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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IRFH4255DTRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFH4255DTRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRFH4255DTRPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R

RoHS: Compliant

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IRFH4255DTRPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFH4255DTRPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R

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IRFH4255DTRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 105A, PQFN-10

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IRFH4255DTRPBF.
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Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 25V, 30A, PQFN-8

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型号 制造商 描述 操作
IRFH4255DTRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, 25V,25 A Power Block in PQFN 5x6 package

RoHS: Compliant

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IRFH4255DTRPBF
Infineon Technologies Americas Corp.
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
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Infineon Technologies - IRFH4255DTRPBF - MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 105A 31W, 38W Surface Mount PQFN (5x6)

型号:IRFH4255DTRPBF
仓库库存编号:IRFH4255DTRPBFCT-ND
别名:IRFH4255DTRPBFCT
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFH4255DTRPBF.
INFINEON IRFH4255DTRPBF.
2424168

INFINEON

场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 30A, PQFN-8

(EN)
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IRFH4255DTRPBF
INFINEON IRFH4255DTRPBF
2577195

INFINEON

双路场效应管, MOSFET, N沟道, 105 A, 25 V, 0.0012 ohm, 10 V, 1.6 V

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International Rectifier - IRFH4255DTRPBF - 25 A Power Block in PQFN 5x6 package 25V MOSFET|70394812 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, 25V, 25 A Power Block in PQFN 5x6 package


型号:IRFH4255DTRPBF
仓库库存编号:70394812

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