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产品规格

封装/外壳	8-PowerVDFN
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	HEXFET?
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-PQFN（3.3x3.3），Power33
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	6.3nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	195 毫欧 @ 2.9A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.3A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	251pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 10μA
漏源电压（Vdss）	100V
功率 - 最大值	2.3W
关键词

产品资料

数据列表	IRFHM792TR(2)PbF
设计资源	IRFHM792TR2PBF Saber Model IRFHM792TR2PBF Spice Model
标准包装	1
其它名称	IRFHM792TR2PBFCT

封装/外壳 8-PowerVDFN  Infineon Technologies 封装/外壳 8-PowerVDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 HEXFET?  Infineon Technologies 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 8-PQFN（3.3x3.3），Power33  Infineon Technologies 供应商器件封装 8-PQFN（3.3x3.3），Power33  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-PQFN（3.3x3.3），Power33  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-PQFN（3.3x3.3），Power33   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.3nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 2.9A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 2.9A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 2.9A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 2.9A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 251pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 251pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 251pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 251pF @ 25V   FET 功能 标准  Infineon Technologies FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 10μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 10μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 10μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 10μA   漏源电压（Vdss） 100V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 100V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 100V   功率 - 最大值 2.3W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 2.3W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.3W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.3W