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IRFHM792TR2PBF - 

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IRFHM792TR2PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRFHM792TR2PBF
仓库库存编号:
IRFHM792TR2PBFCT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFHM792TR2PBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HEXFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-PQFN(3.3x3.3),Power33  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  6.3nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  195 毫欧 @ 2.9A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  2.3A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  251pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 10μA  
  漏源电压(Vdss)  100V  
  功率 - 最大值  2.3W  
关键词         

产品资料
数据列表 IRFHM792TR(2)PbF
设计资源 IRFHM792TR2PBF Saber Model
IRFHM792TR2PBF Spice Model
标准包装 1
其它名称 IRFHM792TR2PBFCT

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