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IRFI4227PBF - 

MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP

Infineon Technologies IRFI4227PBF
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制造商产品编号:
IRFI4227PBF
仓库库存编号:
IRFI4227PBF-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 26A(Tc) 46W(Tc) TO-220AB 整包
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFI4227PBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HEXFET?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220AB 整包  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  110nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  25 毫欧 @ 17A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  26A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  4600pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  46W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  200V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRFI4227PBF
设计资源 IRFB4227PBF Saber Model
IRFI4227PBF Spice Model
标准包装 50
其它名称 SP001564096

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MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP

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MOSFET MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC

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Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak (Alt: IRFI4227PBF)

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MOSFET, N-CH, 200V, 26A, TO-220AB-3

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Infineon Technologies AG

IRFI4227PBF N-channel MOSFET Transistor, 26 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 26A, 18W, TO220FP, HEXFET?

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IRFI4227PBF|International RectifierIRFI4227PBF
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Infineon Technologies - IRFI4227PBF - MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP

详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 46W(Tc) TO-220AB 整包

型号:IRFI4227PBF
仓库库存编号:IRFI4227PBF-ND
别名:SP001564096
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IRFI4227PBF
INFINEON IRFI4227PBF
2580015

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 200 V, 0.021 ohm, 10 V, 5 V

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