IRFI4410ZPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IRFI4410ZPBF
IRFI4410ZPBF -
MOSFET N-CH 100V 43A TO-220FP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFI4410ZPBF
仓库库存编号:
IRFI4410ZPBF-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 43A TO-220FP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 43A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB 整包
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRFI4410ZPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB 整包
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
110nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
9.3 毫欧 @ 26A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
43A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4910pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150μA
功率耗散(最大值)
47W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
IRFI4410ZPBF
设计资源
IRFI4410ZPBF Saber Model
IRFI4410ZPBF Spice Model
标准包装
50
其它名称
SP001566742
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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WM1025-ND
别名:0015-24-7240
0015-24-7240-P
0015247240
0015247240-P
15-24-7240-P
15247240
15247240-P
42385-24A1
WM1025
无铅
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别名:00051119907162
05111990716
5111990716
51119907162
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1122-1011
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仓库库存编号:
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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