IRFP4332PBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
IRFP4332PBF
IRFP4332PBF -
MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFP4332PBF
仓库库存编号:
IRFP4332PBF-ND
描述:
MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 57A(Tc) 360W(Tc) TO-247AC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRFP4332PBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AC
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
150nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
33 毫欧 @ 35A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
57A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5860pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
360W(Tc)
漏源电压(Vdss)
250V
关键词
产品资料
数据列表
IRFP4332PBF
设计资源
IRFP4332PBF Saber Model
IRFP4332PBF Spice Model
标准包装
25
其它名称
SP001578038
IRFP4332PBF您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
CONN D-SUB HD RCPT 104POS STR
详细描述:104 位 D-Sub,高密度 插座,母形插口 连接器
型号:
1-1757824-2
仓库库存编号:
A34449-ND
别名:A34449
M24308/2-16
M24308/216
M24308216
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
详细描述:标准 通孔 二极管 30A TO-247 [B]
型号:
APT30D60BG
仓库库存编号:
APT30D60BG-ND
别名:APT30D60BGMI
APT30D60BGMI-ND
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 310W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4229PBF
仓库库存编号:
IRFP4229PBF-ND
别名:SP001578046
无铅
搜索
XP Power
DC/DC CONVERTER 5V 20W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 1 输出 5V 4A 36V - 140V 输入
型号:
RDC2072S05
仓库库存编号:
1470-2569-5-ND
别名:1470-2569-5
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE HEXFRED 16A 1200V TO-247AC
详细描述:标准 通孔 二极管 16A TO-247AC 改进型
型号:
VS-HFA16PB120-N3
仓库库存编号:
VS-HFA16PB120-N3-ND
别名:VSHFA16PB120N3
无铅
搜索
IRFP4332PBF相关搜索
封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
系列 HEXFET?
Infineon Technologies 系列 HEXFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET?
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET?
包装 散装
Infineon Technologies 包装 散装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 散装
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 散装
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-247AC
Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-247AC
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AC
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AC
技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±30V
Infineon Technologies Vgs(最大值) ±30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 35A,10V
Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 35A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 35A,10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 35A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Infineon Technologies 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Infineon Technologies FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 57A(Tc)
Infineon Technologies 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 57A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 57A(Tc)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 57A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5860pF @ 25V
Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5860pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5860pF @ 25V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5860pF @ 25V
FET 功能 -
Infineon Technologies FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 360W(Tc)
Infineon Technologies 功率耗散(最大值) 360W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 360W(Tc)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 360W(Tc)
漏源电压(Vdss) 250V
Infineon Technologies 漏源电压(Vdss) 250V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号