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IRFP7430PBF
IRFP7430PBF -
MOSFET N CH 40V 195A TO247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFP7430PBF
仓库库存编号:
IRFP7430PBF-ND
描述:
MOSFET N CH 40V 195A TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 195A(Tc) 366W(Tc) TO-247AC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFP7430PBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?,StrongIRFET?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AC
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
460nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.3 毫欧 @ 100A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
195A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
14240pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 250μA
功率耗散(最大值)
366W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
IRFP7430PBF
标准包装
25
其它名称
SP001554970
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 280W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3206PBF
仓库库存编号:
IRFP3206PBF-ND
别名:SP001578056
无铅
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MOSFET N-CH 75V 195A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
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仓库库存编号:
IRFP4368PBF-ND
别名:SP001556774
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 341W(Tc) TO-247AC
型号:
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仓库库存编号:
IRLP3034PBF-ND
别名:SP001574042
无铅
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详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
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仓库库存编号:
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别名:SP001576458
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IXYS
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
详细描述:底座安装 N 沟道 660A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227B
型号:
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仓库库存编号:
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 通孔
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
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