IRFP90N20DPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IRFP90N20DPBF
IRFP90N20DPBF -
MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFP90N20DPBF
仓库库存编号:
IRFP90N20DPBF-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 94A(Tc) 580W(Tc) TO-247AC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFP90N20DPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AC
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
270nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
23 毫欧 @ 56A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
94A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6040pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
580W(Tc)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
数据列表
IRFP90N20DPbF
设计资源
IRFP90N20DPBF Saber Model
IRFP90N20DPBF Spice Model
标准包装
25
其它名称
*IRFP90N20DPBF
SP001552070
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仓库库存编号:
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别名:BER169
BG428814
HF115AC-90
HF115AC00055AC90
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无铅
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Infineon Technologies
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详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP260NPBF
仓库库存编号:
IRFP260NPBF-ND
别名:*IRFP260NPBF
64-6005PBF
64-6005PBF-ND
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