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IRFR4510TRPBF
IRFR4510TRPBF -
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFR4510TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4510TRPBFCT-ND
描述:
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 143W(Tc) D-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRFR4510TRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
D-Pak
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
81nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
13.9 毫欧 @ 38A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
56A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3031pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
功率耗散(最大值)
143W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
IRFR/U4510PbF
标准包装
1
其它名称
IRFR4510TRPBFCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 125W(Tc) D-Pak
型号:
STD70N10F4
仓库库存编号:
497-8806-1-ND
别名:497-8806-1
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 188W(Tc) D2PAK
型号:
NTB6410ANT4G
仓库库存编号:
NTB6410ANT4GOSCT-ND
别名:NTB6410ANT4GOSCT
无铅
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制造商 Infineon Technologies
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 HEXFET?
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 D-Pak
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3031pF @ 50V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA
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功率耗散(最大值) 143W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 143W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 100V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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