IRFR4620TRLPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
IRFR4620TRLPBF
IRFR4620TRLPBF -
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFR4620TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR4620TRLPBFCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRFR4620TRLPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
D-Pak
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
38nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
78 毫欧 @ 15A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
24A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1710pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
功率耗散(最大值)
144W(Tc)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
数据列表
IRFR/IRFU4620PbF
标准包装
1
其它名称
IRFR4620TRLPBFCT
IRFR4620TRLPBF您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Analog Devices Inc.
IC ADC 12BIT SERIAL LP 8SOIC
详细描述:12 Bit Analog to Digital Converter 1 Input 1 SAR 8-SOIC
型号:
AD7475ARZ
仓库库存编号:
AD7475ARZ-ND
无铅
搜索
Microchip Technology
IC REG BUCK 12V 3A TO263-5
详细描述:固定 降压 开关稳压器 IC 正 12V 1 输出 3A TO-263-6,D2Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA
型号:
LM2576-12WU
仓库库存编号:
576-2130-ND
别名:576-2130
LM2576-12WU-ND
LM257612WU
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23
详细描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
型号:
BAS70-04-E3-08
仓库库存编号:
BAS70-04-E3-08CT-ND
别名:BAS70-04-E3-08CT
BAS70-04-V-GS08CT
BAS70-04-V-GS08CT-ND
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD25NF20
仓库库存编号:
497-13749-1-ND
别名:497-13749-1
无铅
搜索
IRFR4620TRLPBF相关搜索
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 HEXFET?
Infineon Technologies 系列 HEXFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET?
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET?
包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 D-Pak
Infineon Technologies 供应商器件封装 D-Pak
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak
技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Infineon Technologies Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 15A,10V
Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 15A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 15A,10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 15A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Infineon Technologies 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Infineon Technologies FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)
Infineon Technologies 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V
Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V
FET 功能 -
Infineon Technologies FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA
Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA
功率耗散(最大值) 144W(Tc)
Infineon Technologies 功率耗散(最大值) 144W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 144W(Tc)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 144W(Tc)
漏源电压(Vdss) 200V
Infineon Technologies 漏源电压(Vdss) 200V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号