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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	HEXFET?
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	D-Pak
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	66nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	295 毫欧 @ 6.6A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	13A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	860pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
功率耗散（最大值）	110W（Tc）
漏源电压（Vdss）	150V
关键词

产品资料

数据列表	IRFR/U6215
标准包装	2,000

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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 HEXFET?  Infineon Technologies 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET?   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 D-Pak  Infineon Technologies 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 295 毫欧 @ 6.6A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 295 毫欧 @ 6.6A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 295 毫欧 @ 6.6A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 295 毫欧 @ 6.6A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 P 沟道  Infineon Technologies FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 110W（Tc）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 110W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 110W（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 110W（Tc）   漏源电压（Vdss） 150V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 150V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 150V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 150V