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IRFS23N15D - 

MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IRFS23N15D
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRFS23N15D
仓库库存编号:
IRFS23N15D-ND
描述:
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) D2PAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFS23N15D产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  HEXFET?  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  D2PAK  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  56nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  90 毫欧 @ 14A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  23A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1200pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5.5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  3.8W(Ta),136W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  150V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRFB23N15D, IRFS(L)23N15D
标准包装 50
其它名称 *IRFS23N15D

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