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IRFU12N25D
IRFU12N25D -
MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFU12N25D
仓库库存编号:
IRFU12N25D-ND
描述:
MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) IPAK(TO-251)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFU12N25D产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
IPAK(TO-251)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
35nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
260 毫欧 @ 8.4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
14A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
810pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
144W(Tc)
漏源电压(Vdss)
250V
关键词
产品资料
数据列表
IRFR12N25D, IRFU12N25D
设计资源
IRFR12N25D Saber Model
IRFR12N25D Spice Model
标准包装
75
其它名称
*IRFU12N25D
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 HEXFET?
Infineon Technologies 系列 HEXFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET?
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET?
包装 管件
Infineon Technologies 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 IPAK(TO-251)
Infineon Technologies 供应商器件封装 IPAK(TO-251)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 IPAK(TO-251)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 IPAK(TO-251)
技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 260 毫欧 @ 8.4A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 810pF @ 25V
Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 810pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 810pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 144W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 144W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 250V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
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