IRFZ44ZPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
IRFZ44ZPBF
IRFZ44ZPBF -
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRFZ44ZPBF
仓库库存编号:
IRFZ44ZPBF-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 51A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRFZ44ZPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
43nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
13.9 毫欧 @ 31A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
51A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1420pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
80W(Tc)
漏源电压(Vdss)
55V
关键词
产品资料
数据列表
IRFZ44Z(S,L)PbF
设计资源
IRFZ44ZL Saber Model
IRFZ44ZL Spice Model
标准包装
50
其它名称
*IRFZ44ZPBF
SP001578606
IRFZ44ZPBF您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microchip Technology
IC OPAMP GP 1MHZ RRO 8DIP
详细描述:通用 放大器 电路 满摆幅 8-PDIP
型号:
MCP6002-I/P
仓库库存编号:
MCP6002-I/P-ND
别名:MCP6002IP
无铅
搜索
Microchip Technology
IC DRIVER MOSFET 1.5A DUAL 8DIP
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-PDIP
型号:
MIC4427YN
仓库库存编号:
576-1205-ND
别名:576-1205
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3205PBF
仓库库存编号:
IRF3205PBF-ND
别名:*IRF3205PBF
64-0085PBF
64-0085PBF-ND
SP001559536
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP30N06L
仓库库存编号:
FQP30N06L-ND
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090
无铅
搜索
IRFZ44ZPBF相关搜索
封装/外壳 TO-220-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-220-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 HEXFET?
Infineon Technologies 系列 HEXFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET?
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET?
包装 管件
Infineon Technologies 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-220AB
Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-220AB
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB
技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Infineon Technologies Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13.9 毫欧 @ 31A,10V
Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13.9 毫欧 @ 31A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13.9 毫欧 @ 31A,10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13.9 毫欧 @ 31A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Infineon Technologies 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Infineon Technologies FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 51A(Tc)
Infineon Technologies 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 51A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 51A(Tc)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 51A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 25V
Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 25V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 25V
FET 功能 -
Infineon Technologies FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
功率耗散(最大值) 80W(Tc)
Infineon Technologies 功率耗散(最大值) 80W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 80W(Tc)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 80W(Tc)
漏源电压(Vdss) 55V
Infineon Technologies 漏源电压(Vdss) 55V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号