IRG4BC20UDSTRRP,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IRG4BC20UDSTRRP - 

IGBT 600V 13A 60W D2PAK

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Infineon Technologies IRG4BC20UDSTRRP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRG4BC20UDSTRRP
仓库库存编号:
IRG4BC20UDSTRRP-ND
描述:
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IRG4BC20UDSTRRP产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  D2PAK  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间(trr)  37ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  60W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  13A  
  测试条件  480V,6.5A,50 欧姆,15V  
  开关能量  160μJ(开),130μJ(关)  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  52A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.1V @ 15V,6.5A  
  25°C 时 Td(开/关)值  39ns/93ns  
  栅极电荷  27nC  
关键词         

产品资料
数据列表 IRG4BC20UD-SPbF
标准包装 800
其它名称 SP001535602

IRG4BC20UDSTRRP您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IRG4BC20UDSTRRP相关搜索

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 包装 带卷(TR)   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)    零件状态 不可用于新设计  Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 D2PAK  Infineon Technologies 供应商器件封装 D2PAK  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间(trr) 37ns  Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 37ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 37ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 37ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 60W  Infineon Technologies Power - Max 60W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 60W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 60W   Current - Collector (Ic) (Max) 13A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 13A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 13A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 13A   测试条件 480V,6.5A,50 欧姆,15V  Infineon Technologies 测试条件 480V,6.5A,50 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 480V,6.5A,50 欧姆,15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 480V,6.5A,50 欧姆,15V   开关能量 160μJ(开),130μJ(关)  Infineon Technologies 开关能量 160μJ(开),130μJ(关)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 160μJ(开),130μJ(关)  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 160μJ(开),130μJ(关)   Current - Collector Pulsed (Icm) 52A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 52A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 52A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 52A   IGBT 类型 -  Infineon Technologies IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,6.5A  Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,6.5A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,6.5A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,6.5A   25°C 时 Td(开/关)值 39ns/93ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 39ns/93ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 39ns/93ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 39ns/93ns   栅极电荷 27nC  Infineon Technologies 栅极电荷 27nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 27nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 27nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号