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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	D2PAK
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	42ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	100W
Current - Collector (Ic) (Max)	31A
测试条件	480V，17A，23 欧姆，15V
开关能量	630μJ（开），1.39mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	120A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.8V @ 15V，17A
25°C 时 Td（开/关）值	42ns/230ns
栅极电荷	51nC
关键词

产品资料

数据列表	IRG4BC30FD-SPbF
标准包装	800
其它名称	SP001541970

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D2PAK  Infineon Technologies 供应商器件封装 D2PAK  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 42ns  Infineon Technologies 反向恢复时间（trr） 42ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 42ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 42ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 100W  Infineon Technologies Power - Max 100W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 100W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 100W   Current - Collector (Ic) (Max) 31A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 31A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 31A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 31A   测试条件 480V，17A，23 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 480V，17A，23 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，17A，23 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，17A，23 欧姆，15V   开关能量 630μJ（开），1.39mJ（关）  Infineon Technologies 开关能量 630μJ（开），1.39mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 630μJ（开），1.39mJ（关）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 630μJ（开），1.39mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A   IGBT 类型 -  Infineon Technologies IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，17A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，17A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，17A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，17A   25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns   栅极电荷 51nC  Infineon Technologies 栅极电荷 51nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 51nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 51nC