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IRG4BC30S-STRLP
IRG4BC30S-STRLP -
IGBT 600V 34A 100W D2PAK
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRG4BC30S-STRLP
仓库库存编号:
IRG4BC30S-STRLPCT-ND
描述:
IGBT 600V 34A 100W D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRG4BC30S-STRLP产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
D2PAK
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
100W
Current - Collector (Ic) (Max)
34A
测试条件
480V,18A,23 欧姆,15V
开关能量
260μJ(开),3.45mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
68A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.6V @ 15V,18A
25°C 时 Td(开/关)值
22ns/540ns
栅极电荷
50nC
关键词
产品资料
数据列表
IRG4BC30S-S
标准包装
1
其它名称
IRG4BC30S-STRLPCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
IGBT 600V 34A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30SPBF
仓库库存编号:
IRG4BC30SPBF-ND
别名:*IRG4BC30SPBF
SP001535662
无铅
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
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安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 不可用于新设计
Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 D2PAK
Infineon Technologies 供应商器件封装 D2PAK
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 100W
Infineon Technologies Power - Max 100W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 100W
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Current - Collector (Ic) (Max) 34A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 34A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 34A
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测试条件 480V,18A,23 欧姆,15V
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.6V @ 15V,18A
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25°C 时 Td(开/关)值 22ns/540ns
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栅极电荷 50nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 50nC
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