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IRG4BH20K-SPBF
IRG4BH20K-SPBF -
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRG4BH20K-SPBF
仓库库存编号:
IRG4BH20K-SPBF-ND
描述:
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRG4BH20K-SPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
D2PAK
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
60W
Current - Collector (Ic) (Max)
11A
测试条件
960V,5A,50 欧姆,15V
开关能量
450μJ(开),440μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
22A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
4.3V @ 15V,5A
25°C 时 Td(开/关)值
23ns/93ns
栅极电荷
28nC
关键词
产品资料
数据列表
IRG4BH20K-S
标准包装
50
其它名称
*IRG4BH20K-SPBF
IRG4BH20KSPBF
SP001536124
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
详细描述:IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
型号:
HGT1S10N120BNST
仓库库存编号:
HGT1S10N120BNSTCT-ND
别名:HGT1S10N120BNSTCT
无铅
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STMicroelectronics
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详细描述:IGBT 1200V 14A 75W Surface Mount D2PAK
型号:
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仓库库存编号:
497-11215-1-ND
别名:497-11215-1
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 10A 69W Surface Mount DPAK
型号:
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无铅
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 4.3V @ 15V,5A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 4.3V @ 15V,5A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 4.3V @ 15V,5A
25°C 时 Td(开/关)值 23ns/93ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/93ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/93ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/93ns
栅极电荷 28nC
Infineon Technologies 栅极电荷 28nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 28nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 28nC
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