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IRG4PC50FD-EPBF
IRG4PC50FD-EPBF -
IGBT 600V 70A 200W TO247AD
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRG4PC50FD-EPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50FD-EPBF-ND
描述:
IGBT 600V 70A 200W TO247AD
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRG4PC50FD-EPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-247AC
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
50ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
200W
Current - Collector (Ic) (Max)
70A
测试条件
480V,39A,5 欧姆,15V
开关能量
1.5mJ(开),2.4mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
280A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.6V @ 15V,39A
25°C 时 Td(开/关)值
55ns/240ns
栅极电荷
190nC
关键词
产品资料
数据列表
IRG4PC50FDPbF
设计资源
IRG4PC50FD-EPBF Saber Model
IRG4PC50FD-EPBF Spice Model
标准包装
25
其它名称
IRG4PC50FDEPBF
SP001536044
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
IGBT 600V 70A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC50FDPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50FDPBF-ND
别名:*IRG4PC50FDPBF
SP001545704
无铅
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 管件
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 不可用于新设计
Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计
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Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 TO-247AC
Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-247AC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AC
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 50ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 200W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 200W
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Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 70A
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测试条件 480V,39A,5 欧姆,15V
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25°C 时 Td(开/关)值 55ns/240ns
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栅极电荷 190nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 190nC
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