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IRG4PH30KDPBF
IRG4PH30KDPBF -
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRG4PH30KDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH30KDPBF-ND
描述:
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRG4PH30KDPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AC
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
50ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
100W
Current - Collector (Ic) (Max)
20A
测试条件
800V,10A,23 欧姆,15V
开关能量
950μJ(开),1.15mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
40A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
4.2V @ 15V,10A
25°C 时 Td(开/关)值
39ns/220ns
栅极电荷
53nC
关键词
产品资料
数据列表
IRG4PH30KDPbF
标准包装
25
其它名称
*IRG4PH30KDPBF
SP001536034
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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仓库库存编号:
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别名:BSS138NH6327XTSA2CT
无铅
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仓库库存编号:
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别名:SP001508828
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别名:BAT6302VH6327XTSA1CT
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安装类型 通孔
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栅极电荷 53nC
Infineon Technologies 栅极电荷 53nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 53nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 53nC
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