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IRG4PH50KDPBF
IRG4PH50KDPBF -
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRG4PH50KDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50KDPBF-ND
描述:
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRG4PH50KDPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AC
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
90ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
200W
Current - Collector (Ic) (Max)
45A
测试条件
800V,24A,5 欧姆,15V
开关能量
3.83mJ(开),1.9mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
90A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.5V @ 15V,24A
25°C 时 Td(开/关)值
87ns/140ns
栅极电荷
180nC
关键词
产品资料
数据列表
IRG4PH50KDPbF
标准包装
400
其它名称
*IRG4PH50KDPBF
SP001536014
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP30B120KD-EP
仓库库存编号:
IRGP30B120KD-EP-ND
别名:*IRGP30B120KD-EP
63-6005PBF
63-6005PBF-ND
SP001532874
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 160W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 60A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC40SPBF
仓库库存编号:
IRG4PC40SPBF-ND
别名:*IRG4PC40SPBF
SP001537184
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH40UPBF
仓库库存编号:
IRG4PH40UPBF-ND
别名:*IRG4PH40UPBF
SP001549516
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50SPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50SPBF-ND
别名:*IRG4PH50SPBF
SP001533562
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50UPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50UPBF-ND
别名:*IRG4PH50UPBF
SP001547832
无铅
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制造商 Infineon Technologies
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Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.5V @ 15V,24A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.5V @ 15V,24A
25°C 时 Td(开/关)值 87ns/140ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 87ns/140ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 87ns/140ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 87ns/140ns
栅极电荷 180nC
Infineon Technologies 栅极电荷 180nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 180nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 180nC
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