IRG4PH50UDPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
IRG4PH50UDPBF
IRG4PH50UDPBF -
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRG4PH50UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50UDPBF-ND
描述:
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRG4PH50UDPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AC
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
90ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
200W
Current - Collector (Ic) (Max)
45A
测试条件
800V,24A,5 欧姆,15V
开关能量
2.1mJ(开),1.5mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
180A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.7V @ 15V,24A
25°C 时 Td(开/关)值
47ns/110ns
栅极电荷
160nC
关键词
产品资料
数据列表
IRG4PH50UDPbF
设计资源
IRG4PH50UDPBF Saber Model
IRG4PH50UDPBF Spice Model
标准包装
25
其它名称
*IRG4PH50UDPBF
SP001542126
IRG4PH50UDPBF您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50SPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50SPBF-ND
别名:*IRG4PH50SPBF
SP001533562
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50UPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50UPBF-ND
别名:*IRG4PH50UPBF
SP001547832
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 60A 180W TO264
详细描述:IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
型号:
FGL60N100BNTD
仓库库存编号:
FGL60N100BNTDFS-ND
别名:FGL60N100BNTD-ND
FGL60N100BNTDFS
无铅
搜索
IRG4PH50UDPBF相关搜索
封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Infineon Technologies 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 散装
Infineon Technologies 包装 散装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 散装
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 散装
零件状态 在售
Infineon Technologies 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-247AC
Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-247AC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AC
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 90ns
Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 90ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 90ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 90ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 200W
Infineon Technologies Power - Max 200W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 200W
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 200W
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 45A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 45A
测试条件 800V,24A,5 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 800V,24A,5 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 800V,24A,5 欧姆,15V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 800V,24A,5 欧姆,15V
开关能量 2.1mJ(开),1.5mJ(关)
Infineon Technologies 开关能量 2.1mJ(开),1.5mJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 2.1mJ(开),1.5mJ(关)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 2.1mJ(开),1.5mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
IGBT 类型 -
Infineon Technologies IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.7V @ 15V,24A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.7V @ 15V,24A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.7V @ 15V,24A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.7V @ 15V,24A
25°C 时 Td(开/关)值 47ns/110ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 47ns/110ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 47ns/110ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 47ns/110ns
栅极电荷 160nC
Infineon Technologies 栅极电荷 160nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 160nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 160nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号