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IRG4RC10UDTRLP
IRG4RC10UDTRLP -
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRG4RC10UDTRLP
仓库库存编号:
IRG4RC10UDTRLPCT-ND
描述:
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRG4RC10UDTRLP产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
D-Pak
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
28ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
38W
Current - Collector (Ic) (Max)
8.5A
测试条件
480V,5A,100 欧姆,15V
开关能量
140μJ(开),120μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
34A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.6V @ 15V,5A
25°C 时 Td(开/关)值
40ns/87ns
栅极电荷
15nC
关键词
产品资料
数据列表
IRG4RC10UDPbF
设计资源
IRG4RC10UD Saber Model
IRG4RC10UD Spice Model
标准包装
1
其它名称
IRG4RC10UDTRLPCT
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
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包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 不可用于新设计
Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 D-Pak
Infineon Technologies 供应商器件封装 D-Pak
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 28ns
Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 28ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 38W
Infineon Technologies Power - Max 38W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 38W
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Current - Collector (Ic) (Max) 8.5A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 8.5A
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Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8.5A
测试条件 480V,5A,100 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 480V,5A,100 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 480V,5A,100 欧姆,15V
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开关能量 140μJ(开),120μJ(关)
Infineon Technologies 开关能量 140μJ(开),120μJ(关)
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IGBT 类型 -
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.6V @ 15V,5A
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25°C 时 Td(开/关)值 40ns/87ns
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/87ns
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栅极电荷 15nC
Infineon Technologies 栅极电荷 15nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 15nC
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