IRG5K200HF06B,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IRG5K200HF06B - 

MOD IGBT 600V 200A POWIR 62

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IRG5K200HF06B
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRG5K200HF06B
仓库库存编号:
IRG5K200HF06B-ND
描述:
MOD IGBT 600V 200A POWIR 62
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module Half Bridge 600V 340A 800W Chassis Mount POWIR? 62
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IRG5K200HF06B产品属性


产品规格
  封装/外壳  POWIR? 62 模块  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  POWIR? 62  
  输入  标准  
  配置  半桥  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  800W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  340A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.1V @ 15V,200A  
  NTC 热敏电阻  无  
  不同?Vce 时的输入电容(Cies)  11.9nF @ 25V  
  Current - Collector Cutoff (Max)  2mA  
关键词         

产品资料
数据列表 IRG5K200HF06B
标准包装 15

IRG5K200HF06B相关搜索

封装/外壳 POWIR? 62 模块  Infineon Technologies 封装/外壳 POWIR? 62 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 POWIR? 62 模块  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 POWIR? 62 模块   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies   安装类型 底座安装  Infineon Technologies 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 POWIR? 62  Infineon Technologies 供应商器件封装 POWIR? 62  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 POWIR? 62  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 POWIR? 62   输入 标准  Infineon Technologies 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 半桥  Infineon Technologies 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 800W  Infineon Technologies Power - Max 800W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 800W  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 800W   Current - Collector (Ic) (Max) 340A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 340A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 340A  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 340A   IGBT 类型 -  Infineon Technologies IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,200A  Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,200A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,200A  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,200A   NTC 热敏电阻 无  Infineon Technologies NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容(Cies) 11.9nF @ 25V  Infineon Technologies 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 11.9nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 11.9nF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 11.9nF @ 25V   Current - Collector Cutoff (Max) 2mA  Infineon Technologies Current - Collector Cutoff (Max) 2mA  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 2mA  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 2mA  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号