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产品规格

封装/外壳	POWIR? 34 模块
制造商	Infineon Technologies
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	过期
供应商器件封装	POWIR? 34
输入	标准
配置	半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	280W
Current - Collector (Ic) (Max)	70A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.6V @ 15V，35A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	3.4nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
关键词

产品资料

数据列表	IRG5K35HF12A
标准包装	20

封装/外壳 POWIR? 34 模块  Infineon Technologies 封装/外壳 POWIR? 34 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 POWIR? 34 模块  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 POWIR? 34 模块   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies   安装类型 底座安装  Infineon Technologies 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 POWIR? 34  Infineon Technologies 供应商器件封装 POWIR? 34  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 POWIR? 34  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 POWIR? 34   输入 标准  Infineon Technologies 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 半桥  Infineon Technologies 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 280W  Infineon Technologies Power - Max 280W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 280W  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 280W   Current - Collector (Ic) (Max) 70A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 70A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 70A  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 70A   IGBT 类型 -  Infineon Technologies IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，35A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，35A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，35A  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，35A   NTC 热敏电阻 无  Infineon Technologies NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 3.4nF @ 25V  Infineon Technologies 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 3.4nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 3.4nF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 3.4nF @ 25V   Current - Collector Cutoff (Max) 1mA  Infineon Technologies Current - Collector Cutoff (Max) 1mA  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 1mA  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 1mA