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IRG5U300SD12B
IRG5U300SD12B -
MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRG5U300SD12B
仓库库存编号:
IRG5U300SD12B-ND
描述:
MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module Single 1200V 480A 2170W Chassis Mount POWIR? 62
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRG5U300SD12B产品属性
产品规格
封装/外壳
POWIR? 62 模块
制造商
Infineon Technologies
安装类型
底座安装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
零件状态
过期
供应商器件封装
POWIR? 62
输入
标准
配置
单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
2170W
Current - Collector (Ic) (Max)
480A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.5V @ 15V,300A
NTC 热敏电阻
无
不同?Vce 时的输入电容(Cies)
38nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max)
3mA
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数据列表
IRG5U300SD12B
标准包装
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封装/外壳 POWIR? 62 模块
Infineon Technologies 封装/外壳 POWIR? 62 模块
晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 POWIR? 62 模块
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 POWIR? 62 模块
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies
安装类型 底座安装
Infineon Technologies 安装类型 底座安装
晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Infineon Technologies 系列 -
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零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期
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供应商器件封装 POWIR? 62
Infineon Technologies 供应商器件封装 POWIR? 62
晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 POWIR? 62
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输入 标准
Infineon Technologies 输入 标准
晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准
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配置 单一
Infineon Technologies 配置 单一
晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 2170W
Infineon Technologies Power - Max 2170W
晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 2170W
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 2170W
Current - Collector (Ic) (Max) 480A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 480A
晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 480A
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 480A
IGBT 类型 -
Infineon Technologies IGBT 类型 -
晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.5V @ 15V,300A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.5V @ 15V,300A
晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.5V @ 15V,300A
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.5V @ 15V,300A
NTC 热敏电阻 无
Infineon Technologies NTC 热敏电阻 无
晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无
不同?Vce 时的输入电容(Cies) 38nF @ 25V
Infineon Technologies 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 38nF @ 25V
晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 38nF @ 25V
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 38nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
Infineon Technologies Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
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