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产品规格

封装/外壳	模具
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	模具
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	10A
测试条件	600V，10A，22 欧姆，15V
开关能量	-
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.56V @ 15V，10A
25°C 时 Td（开/关）值	10ns/90ns
栅极电荷	4.8nC
关键词

产品资料

数据列表	IRG7CH30K10EF
标准包装	3,708
其它名称	SP001536250

封装/外壳 模具  Infineon Technologies 封装/外壳 模具  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 模具  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 模具   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 模具  Infineon Technologies 供应商器件封装 模具  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 模具  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 模具   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Current - Collector (Ic) (Max) 10A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 10A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A   测试条件 600V，10A，22 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 600V，10A，22 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，10A，22 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，10A，22 欧姆，15V   开关能量 -  Infineon Technologies 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.56V @ 15V，10A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.56V @ 15V，10A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.56V @ 15V，10A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.56V @ 15V，10A   25°C 时 Td（开/关）值 10ns/90ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 10ns/90ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 10ns/90ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 10ns/90ns   栅极电荷 4.8nC  Infineon Technologies 栅极电荷 4.8nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 4.8nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 4.8nC