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产品规格

封装/外壳	模具
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	模具
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
测试条件	600V，50A，5 欧姆，15V
开关能量	-
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.5V @ 15V，10A
25°C 时 Td（开/关）值	75ns/305ns
栅极电荷	290nC
关键词

产品资料

数据列表	IRG7CH54K10EF
标准包装	822
其它名称	IRG7CH54K10EF IRG7CH54K10EF-ND SP001542088

封装/外壳 模具  Infineon Technologies 封装/外壳 模具  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 模具  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 模具   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   Infineon Technologies 包装 散装   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 模具  Infineon Technologies 供应商器件封装 模具  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 模具  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 模具   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   测试条件 600V，50A，5 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 600V，50A，5 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，50A，5 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，50A，5 欧姆，15V   开关能量 -  Infineon Technologies 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 -  Infineon Technologies IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，10A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，10A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，10A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，10A   25°C 时 Td（开/关）值 75ns/305ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 75ns/305ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 75ns/305ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 75ns/305ns   栅极电荷 290nC  Infineon Technologies 栅极电荷 290nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 290nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 290nC