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IRG7PH42UD2-EP
IRG7PH42UD2-EP -
IGBT 1200V 60A 321W TO247AC
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRG7PH42UD2-EP
仓库库存编号:
IRG7PH42UD2-EP-ND
描述:
IGBT 1200V 60A 321W TO247AC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 1200V 60A 321W Through Hole TO-247AD
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRG7PH42UD2-EP产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-247AD
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
321W
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
测试条件
600V,30A,10 欧姆,15V
开关能量
1.32mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
90A
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.02V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值
-/233ns
栅极电荷
234nC
关键词
产品资料
数据列表
IRG7PH42UD2(PbF,-EP)
标准包装
25
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
IGBT 1200V 85A 320W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH42UD-EP
仓库库存编号:
IRG7PH42UD-EP-ND
别名:IRG7PH42UDEP
SP001533730
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 85A 320W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH42UDPBF
仓库库存编号:
IRG7PH42UDPBF-ND
别名:SP001537274
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 90A 385W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 90A 385W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH42UPBF
仓库库存编号:
IRG7PH42UPBF-ND
别名:SP001542060
无铅
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Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Infineon Technologies 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
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包装 管件
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 过期
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-247AD
Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-247AD
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Power - Max 321W
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.02V @ 15V,30A
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25°C 时 Td(开/关)值 -/233ns
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栅极电荷 234nC
Infineon Technologies 栅极电荷 234nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 234nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 234nC
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