关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	POWIR? 62 模块
制造商	Infineon Technologies
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	过期
供应商器件封装	POWIR? 62
输入	标准
配置	单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	1060W
Current - Collector (Ic) (Max)	390A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.2V @ 15V，200A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	22.5nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max)	2mA
关键词

产品资料

数据列表	IRG7T200CH12B
标准包装	15

封装/外壳 POWIR? 62 模块  Infineon Technologies 封装/外壳 POWIR? 62 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 POWIR? 62 模块  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 POWIR? 62 模块   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies   安装类型 底座安装  Infineon Technologies 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 POWIR? 62  Infineon Technologies 供应商器件封装 POWIR? 62  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 POWIR? 62  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 POWIR? 62   输入 标准  Infineon Technologies 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 单一  Infineon Technologies 配置 单一  晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 1060W  Infineon Technologies Power - Max 1060W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 1060W  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 1060W   Current - Collector (Ic) (Max) 390A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 390A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 390A  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 390A   IGBT 类型 -  Infineon Technologies IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，200A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，200A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，200A  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，200A   NTC 热敏电阻 无  Infineon Technologies NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 22.5nF @ 25V  Infineon Technologies 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 22.5nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 22.5nF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 22.5nF @ 25V   Current - Collector Cutoff (Max) 2mA  Infineon Technologies Current - Collector Cutoff (Max) 2mA  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 2mA  Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 2mA