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IRG7T75HF12A
IRG7T75HF12A -
MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRG7T75HF12A
仓库库存编号:
IRG7T75HF12A-ND
描述:
MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 450W Chassis Mount POWIR? 34
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRG7T75HF12A产品属性
产品规格
封装/外壳
POWIR? 34 模块
制造商
Infineon Technologies
安装类型
底座安装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
零件状态
过期
供应商器件封装
POWIR? 34
输入
标准
配置
半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
450W
Current - Collector (Ic) (Max)
150A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.2V @ 15V,75A
NTC 热敏电阻
无
不同?Vce 时的输入电容(Cies)
10.4nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
关键词
产品资料
数据列表
IRG7T75HF12A
标准包装
20
其它名称
SP001542018
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封装/外壳 POWIR? 34 模块
Infineon Technologies 封装/外壳 POWIR? 34 模块
晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 POWIR? 34 模块
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 POWIR? 34 模块
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies
安装类型 底座安装
Infineon Technologies 安装类型 底座安装
晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Infineon Technologies 系列 -
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零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期
供应商器件封装 POWIR? 34
Infineon Technologies 供应商器件封装 POWIR? 34
晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 POWIR? 34
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输入 标准
Infineon Technologies 输入 标准
晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准
配置 半桥
Infineon Technologies 配置 半桥
晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 450W
Infineon Technologies Power - Max 450W
晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 450W
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 450W
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 150A
晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 150A
IGBT 类型 -
Infineon Technologies IGBT 类型 -
晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,75A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,75A
晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,75A
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,75A
NTC 热敏电阻 无
Infineon Technologies NTC 热敏电阻 无
晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无
不同?Vce 时的输入电容(Cies) 10.4nF @ 25V
Infineon Technologies 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 10.4nF @ 25V
晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 10.4nF @ 25V
Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 10.4nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Infineon Technologies Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
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