IRGB4056DPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IRGB4056DPBF
IRGB4056DPBF -
IGBT 600V 24A 140W TO220AB
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRGB4056DPBF
仓库库存编号:
IRGB4056DPBF-ND
描述:
IGBT 600V 24A 140W TO220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 600V 24A 140W Through Hole TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRGB4056DPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-220AB
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
68ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
140W
Current - Collector (Ic) (Max)
24A
测试条件
400V,12A,22 欧姆,15V
开关能量
75μJ(开),225μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
48A
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.85V @ 15V,12A
25°C 时 Td(开/关)值
31ns/83ns
栅极电荷
25nC
关键词
产品资料
数据列表
IRGB4056DPBF
标准包装
50
其它名称
SP001544890
IRGB4056DPBF相关产品
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 4.5V - 5.5V 输入
型号:
MGJ2D051505SC
仓库库存编号:
811-2998-5-ND
别名:811-2998-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 10.8V - 13.2V 输入
型号:
MGJ2D121505SC
仓库库存编号:
811-3001-5-ND
别名:811-3001-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 13.5V - 16.5V 输入
型号:
MGJ2D151505SC
仓库库存编号:
811-3004-5-ND
别名:811-3004-5
无铅
搜索
Murata Power Solutions Inc.
DC/DC CONVERTER 15V -5V 2W
详细描述:隔离模块 DC/DC 转换器 2 输出 15V -5V 80mA,40mA 21.6V - 26.4V 输入
型号:
MGJ2D241505SC
仓库库存编号:
811-3007-5-ND
别名:811-3007-5
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-220-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-220-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
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包装 管件
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 TO-220AB
Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-220AB
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB
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输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 68ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 140W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 24A
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测试条件 400V,12A,22 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 400V,12A,22 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,12A,22 欧姆,15V
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开关能量 75μJ(开),225μJ(关)
Infineon Technologies 开关能量 75μJ(开),225μJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 75μJ(开),225μJ(关)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 75μJ(开),225μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 48A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 48A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 48A
IGBT 类型 沟道
Infineon Technologies IGBT 类型 沟道
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.85V @ 15V,12A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.85V @ 15V,12A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.85V @ 15V,12A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.85V @ 15V,12A
25°C 时 Td(开/关)值 31ns/83ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 31ns/83ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 31ns/83ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 31ns/83ns
栅极电荷 25nC
Infineon Technologies 栅极电荷 25nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 25nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 25nC
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