IRGB5B120KDPBF,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
IRGB5B120KDPBF
IRGB5B120KDPBF -
IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRGB5B120KDPBF
仓库库存编号:
IRGB5B120KDPBF-ND
描述:
IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1200V 12A 89W Through Hole TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRGB5B120KDPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-220AB
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
160ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
89W
Current - Collector (Ic) (Max)
12A
测试条件
600V,6A,50 欧姆,15V
开关能量
390μJ(开),330μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
24A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3V @ 15V,6A
25°C 时 Td(开/关)值
22ns/100ns
栅极电荷
25nC
关键词
产品资料
数据列表
IRGB5B120KDPbF
设计资源
IRGB5B120KDPBF Saber Model
IRGB5B120KDPBF Spice Model
标准包装
50
其它名称
*IRGB5B120KDPBF
SP001549620
IRGB5B120KDPBF您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
CUI Inc.
PWR SUPPLY 15W OPEN 48V 0.31A
详细描述:Open Frame AC DC Converter 1 Output 48V 310mA 85 ~ 264 VAC Input
型号:
VOF-15-48
仓库库存编号:
102-2049-ND
别名:102-2049
657-10534R
VOF1548
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 1200V 14A 75W TO220
详细描述:IGBT 1200V 14A 75W Through Hole TO-220
型号:
STGP3NC120HD
仓库库存编号:
497-15806-5-ND
别名:497-15806-5
STGP3NC120HD-ND
无铅
搜索
IRGB5B120KDPBF相关搜索
封装/外壳 TO-220-3
Infineon Technologies 封装/外壳 TO-220-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Infineon Technologies 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Infineon Technologies 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 不可用于新设计
Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 TO-220AB
Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-220AB
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 160ns
Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 160ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 160ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 160ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 89W
Infineon Technologies Power - Max 89W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 89W
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 89W
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 12A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 12A
测试条件 600V,6A,50 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 600V,6A,50 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,6A,50 欧姆,15V
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,6A,50 欧姆,15V
开关能量 390μJ(开),330μJ(关)
Infineon Technologies 开关能量 390μJ(开),330μJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 390μJ(开),330μJ(关)
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 390μJ(开),330μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
IGBT 类型 NPT
Infineon Technologies IGBT 类型 NPT
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,6A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,6A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,6A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,6A
25°C 时 Td(开/关)值 22ns/100ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 22ns/100ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 22ns/100ns
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 22ns/100ns
栅极电荷 25nC
Infineon Technologies 栅极电荷 25nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 25nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 25nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号