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IRGC4056B
IRGC4056B -
IGBT CHIP WAFER
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRGC4056B
仓库库存编号:
IRGC4056B-ND
描述:
IGBT CHIP WAFER
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 600V 8A Surface Mount Die
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRGC4056B产品属性
产品规格
封装/外壳
模具
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
175°C(TJ)
系列
-
零件状态
在售
供应商器件封装
模具
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
测试条件
-
开关能量
-
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
-
25°C 时 Td(开/关)值
-
关键词
产品资料
数据列表
IRGC4056B
标准包装
3,644
其它名称
SP001549584
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
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安装类型 表面贴装
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 175°C(TJ)
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输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A
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测试条件 -
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开关能量 -
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