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IRGIB15B60KD1P
IRGIB15B60KD1P -
IGBT 600V 19A 52W TO220FP
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRGIB15B60KD1P
仓库库存编号:
IRGIB15B60KD1P-ND
描述:
IGBT 600V 19A 52W TO220FP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 600V 19A 52W Through Hole TO-220AB Full-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRGIB15B60KD1P产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-220AB 整包
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
67ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
52W
Current - Collector (Ic) (Max)
19A
测试条件
400V,15A,22 欧姆,15V
开关能量
127μJ(开),334μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
38A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.2V @ 15V,15A
25°C 时 Td(开/关)值
30ns/173ns
栅极电荷
56nC
关键词
产品资料
数据列表
IRGIB15B60KD1P
IRGIB15B60KD1
标准包装
50
其它名称
63-7002PBF
63-7002PBF-ND
SP001537730
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
IGBT 600V 17A 45W TO220FP
详细描述:IGBT 600V 17A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号:
IRG4IBC30KDPBF
仓库库存编号:
IRG4IBC30KDPBF-ND
别名:*IRG4IBC30KDPBF
SP001549282
无铅
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
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包装 管件
Infineon Technologies 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 不可用于新设计
Infineon Technologies 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 TO-220AB 整包
Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-220AB 整包
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB 整包
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB 整包
输入类型 标准
Infineon Technologies 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 67ns
Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 67ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 52W
Infineon Technologies Power - Max 52W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 52W
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 52W
Current - Collector (Ic) (Max) 19A
Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 19A
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测试条件 400V,15A,22 欧姆,15V
Infineon Technologies 测试条件 400V,15A,22 欧姆,15V
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开关能量 127μJ(开),334μJ(关)
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,15A
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25°C 时 Td(开/关)值 30ns/173ns
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栅极电荷 56nC
Infineon Technologies 栅极电荷 56nC
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